SUS316L奧氏體不銹鋼低溫表面滲碳的數(shù)值分析

針對SUS316L奧氏體不銹鋼表面強化,進行了低溫表面滲碳實驗并測量了滲后試樣滲碳層內C濃度沿深度方向的分布.建立了以"陷阱-去陷阱"質量傳遞機制為基礎的動力學模型,認為Cr原子在C的擴散過程中對C原子具有陷阱作用,利用該模型計算出滲后試樣中C濃度沿滲層深度方向的分布,并與實驗結果進行比較.

結果表明,實驗測得的C濃度沿滲層深度方向的分布形狀呈現(xiàn)凸狀,與簡單Fick定律得出來的結果不同,而基于"陷阱-去陷阱"模型得到的計算結果與實驗結果符合較好,表明陷阱作用在C擴散過程中起重要作用.Cr原子通過對C原子陷阱作用,降低C的擴散系數(shù),對實驗數(shù)據(jù)擬合得到C的去陷阱激活能為165 k J/mol.所提出模型僅適用于未發(fā)生碳化物析出的低溫滲碳,且并未考慮擴散應力的影響.